Manuel d'utilisation / d'entretien du produit CY7C1410AV18 du fabricant Cypress Semiconductor
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36-Mbit QDR™-II SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 38-05615 Rev .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 2 of 29 Logic Block Diagram (CY7C1410A V18) Logic Block Diagram (CY7C1425A V18) 2M x 8 Array CLK A (20:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [7:0] Read Add.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 3 of 29 Logic Block Diagram (CY7C1412A V18) Logic Block Diagram (CY7C1414A V18) 1M x 18 Array CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 4 of 29 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1410A V18, CY7C1425 A V18, CY7C141 2A V18, and CY7C1414A V18 fo llow . [1] 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1 .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 5 of 29 CY7C1412A V18 (2M x 18) 123456789 10 11 A CQ NC/144M A WPS BWS 1 K NC/288M RPS A NC/72M CQ B NC Q9 .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 6 of 29 Pin Definitions Pin Name IO Pin Description D [x:0] Input- Synchronous Data Input Signals. Sampled on the rising edge of K and K clocks during val id write opera tions.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 7 of 29 CQ Echo Clock CQ Referenced with Respect to C . This is a free - running clock and is synchronized to the Input clock for output data (C) of the QDR-II.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 8 of 29 Functional Overview The CY7C1410A V18, CY7C1425A V18, CY7C1412A V18, an d CY7C1414A V18 are synchronous pipelined Burst SRAMs with a read port and a write port.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 9 of 29 Programmable Impedan ce An external resistor , RQ, must be connected between the ZQ pin on the SRAM and V SS to allow the SRAM to adjust its output driver impedance.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 10 of 29 T ruth T able The truth table for CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 , CY7C1412A V18, and CY7C1 414A V18 follows. [2, 3, 4, 5, 6, 7] Operation K RPS WPS DQ DQ Write Cycle: Load address on the rising ed ge of K ; input write data on K and K rising edges.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 1 1 of 29 Write Cycle Descriptions The write cycle description tabl e for CY7C1425A V18 follows. [2, 8] BWS 0 K K Comments L L–H – During the Data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] ) is writ te n in to the device.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 12 of 29 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA p ackage. This part is fully comp liant with IEEE S tandard #1 149.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 13 of 29 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 14 of 29 T AP Controller St ate Diagram The state diagram for the T AP controller follows.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 15 of 29 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 16 of 29 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Max .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 17 of 29 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e De scription CY7C1410A V18 CY7C1425A V18 CY7C1412 A V18 CY7C1414A V18 Revision Numb er (31:29) 000 000 000 000 V ersion number .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 18 of 29 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84 1.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 19 of 29 Power Up Sequence in QDR-II SRAM QDR-II SRAMs must be powered up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operation s. Power Up Sequence ■ Apply power and drive DO FF either HIGH or LOW (All other inputs can be HIGH or LOW).
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 20 of 29 Maximum Ratings Exceeding maximum ratings may im pair the useful life of the device. These user guidelines are not tested. S torage T emperature ....
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 21 of 29 I SB1 Automatic Power down Current Max V DD , Both Ports Deselected, V IN ≥ V IH or V IN ≤ V I.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 22 of 29 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Condition s Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 23 of 29 Switching Characteristics Over the Operating Range [20, 21] Cypress Parameter Consor tium Paramete.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 24 of 29 Switching W aveforms Figure 5. Read/Write/Deselect Sequence [2 6, 27, 28 ] K 1 2 34 5 8 10 6 7 K R.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 25 of 29 Ordering Information Not all of the speed, package and temperature range s are ava ilable. Please contact your local sales representative or visit www .
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 26 of 29 167 CY7C1410A V18-167BZC 5 1-85195 165-Ball Fine Pi tch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Commercial CY7C1425A V18-167BZC CY7C1412A V18-167BZC CY7C1414A V18-167BZC CY7C1410A V18-167BZXC 51-851 95 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 27 of 29 Package Diagram Figure 6. 165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm), 51-85195 A 1 PIN 1 CORNER 17.00±0.10 15.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø0.25 M C A B Ø0.
CY7C1410A V18, CY7C1425A V18 CY7C1412A V18, CY7C1414A V18 Document #: 38-05615 Rev . *E Page 28 of 29 Document History Page Document Title: CY7C1410A V18/CY7C1425A V18/CY7C1412A V1 8/CY7C1414A V18, 36-Mbit QDR™-II SRAM 2-Word Burst Architecture Document Number: 38-05615 REV .
Document #: 38-05615 Rev . *E Revised June 13, 2008 Page 29 of 29 QDR RAMs and Qua d Data Ra te RA Ms comprise a ne w fam i ly of pr od uct s developed by Cypress, Hit a chi, IDT , NEC, and Samsung. A l l p r oduct and company names mentioned in this d ocume nt a re the tradem arks of their respective holders.
Un point important après l'achat de l'appareil (ou même avant l'achat) est de lire le manuel d'utilisation. Nous devons le faire pour quelques raisons simples:
Si vous n'avez pas encore acheté Cypress Semiconductor CY7C1410AV18 c'est un bon moment pour vous familiariser avec les données de base sur le produit. Consulter d'abord les pages initiales du manuel d'utilisation, que vous trouverez ci-dessus. Vous devriez y trouver les données techniques les plus importants du Cypress Semiconductor CY7C1410AV18 - de cette manière, vous pouvez vérifier si l'équipement répond à vos besoins. Explorant les pages suivantes du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1410AV18, vous apprendrez toutes les caractéristiques du produit et des informations sur son fonctionnement. Les informations sur le Cypress Semiconductor CY7C1410AV18 va certainement vous aider à prendre une décision concernant l'achat.
Dans une situation où vous avez déjà le Cypress Semiconductor CY7C1410AV18, mais vous avez pas encore lu le manuel d'utilisation, vous devez le faire pour les raisons décrites ci-dessus,. Vous saurez alors si vous avez correctement utilisé les fonctions disponibles, et si vous avez commis des erreurs qui peuvent réduire la durée de vie du Cypress Semiconductor CY7C1410AV18.
Cependant, l'un des rôles les plus importants pour l'utilisateur joués par les manuels d'utilisateur est d'aider à résoudre les problèmes concernant le Cypress Semiconductor CY7C1410AV18. Presque toujours, vous y trouverez Troubleshooting, soit les pannes et les défaillances les plus fréquentes de l'apparei Cypress Semiconductor CY7C1410AV18 ainsi que les instructions sur la façon de les résoudre. Même si vous ne parvenez pas à résoudre le problème, le manuel d‘utilisation va vous montrer le chemin d'une nouvelle procédure – le contact avec le centre de service à la clientèle ou le service le plus proche.
