Manuel d'utilisation / d'entretien du produit CY7C1346H du fabricant Cypress Semiconductor
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2-Mbit (64K x 36) Pipelined Sync SRAM CY7C1346H Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05672 Rev . *B Revised April 26, 2006 Features • Registered inp uts and outputs for pipelined op er ation • 64K × 36 common I/O architecture • 3.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 2 of 16 Pin Configuration Selection Guide 166 MHz Unit Maximum Access T i me 3.5 ns Maximum Operating Current 240 mA Maximum CMOS S tandby Cu rrent 40 mA A.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 3 of 16 Pin Definitions Name I/O Description A 0 , A 1 , A Input- Synchronous Address Inputs used to select one of the 64K addre ss loca tions . Sampled at the rising edge of the CLK if ADSP or ADSC is active LOW , and CE 1 , CE 2 , and CE 3 are sampled active.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 4 of 16 Functional Overview All synchronous inputs pass through input registers controlled by the rising edge of the clock. All data outputs pass through output registers controlled b y the rising edge of the clock.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 5 of 16 Burst Sequences The CY7C1346H provid es a two-bit wraparound counter , fed by A 1 , A 0 , that implements either an interleaved or linear burst sequence. The interleaved burst sequ ence is designed specif- ically to support Intel Pentium appli cations.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 6 of 16 T ruth T able [2, 3, 4, 5, 6, 7] Next Cycle Add. Used CE 1 CE 2 CE 3 ZZ ADSP ADSC ADV WRITE OE CLK DQ Deselect Cycle, Power-down None H X X L X L X.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 7 of 16 WRITE Cycle, Suspend Burst Current X X X L H H H L X L-H D WRITE Cycle, Suspend Burst Current H X X L X H H L X L-H D T ruth T able (continued) [2, 3, 4, 5, 6, 7] Next Cycle Add.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 8 of 16 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired. For user guide- lines, not tested.) S torage T emperature ................ .............. ... –65 ° C to +150 ° C Ambient T e mperature with Power Applied .
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 9 of 16 Cap acit ance [10] Parameter Description T est Conditions 100 TQFP Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 3.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 10 of 16 Switching Characteristics Over the Operating Range [1 1, 12] Parameter Description -166 Unit Min. Max. t POWER V DD (T ypical) to the First Access [13] 1 ms Clock t CYC Clock Cycle T ime 6.0 ns t CH Clock HIGH 2.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 1 1 of 16 Switching W aveforms Read Cycle Timing [17] Note: 17. On this diagram, when CE is LOW, CE 1 is LOW, CE 2 is HIGH and CE 3 is LOW.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 12 of 16 Write Cycle T iming [17, 18] Note: 18. Full width Write can be initiate d by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW [A:D] LOW.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 13 of 16 Read/Write Cycle Timing [17, 19, 20 ] Notes: 19. The data bus (Q) remains in High- Z following a Write cycle unless an ADSP , ADSC , or ADV cycle is performed.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 14 of 16 ZZ Mode T iming [21, 22] Notes: 21. Device must be deselected when entering ZZ mode. See Cycle Descr iptions t able for all possible signal conditions to deselect the device. 22. DQs are in High-Z when exiting ZZ sleep mode.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 15 of 16 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress prod uct.
CY7C1346H Document #: 38-05672 Rev . *B Page 16 of 16 Document History Page Document Title: CY7C1346H 2-Mbit (64K x 36) Pipelined Syn c SRAM Document Number: 38-05672 REV . ECN NO. Issue Date Orig. of Change Description of Change ** 3 473 57 See ECN PCI New Data sheet *A 420879 See ECN RXU Converted from Preliminary to Fi nal.
Un point important après l'achat de l'appareil (ou même avant l'achat) est de lire le manuel d'utilisation. Nous devons le faire pour quelques raisons simples:
Si vous n'avez pas encore acheté Cypress Semiconductor CY7C1346H c'est un bon moment pour vous familiariser avec les données de base sur le produit. Consulter d'abord les pages initiales du manuel d'utilisation, que vous trouverez ci-dessus. Vous devriez y trouver les données techniques les plus importants du Cypress Semiconductor CY7C1346H - de cette manière, vous pouvez vérifier si l'équipement répond à vos besoins. Explorant les pages suivantes du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1346H, vous apprendrez toutes les caractéristiques du produit et des informations sur son fonctionnement. Les informations sur le Cypress Semiconductor CY7C1346H va certainement vous aider à prendre une décision concernant l'achat.
Dans une situation où vous avez déjà le Cypress Semiconductor CY7C1346H, mais vous avez pas encore lu le manuel d'utilisation, vous devez le faire pour les raisons décrites ci-dessus,. Vous saurez alors si vous avez correctement utilisé les fonctions disponibles, et si vous avez commis des erreurs qui peuvent réduire la durée de vie du Cypress Semiconductor CY7C1346H.
Cependant, l'un des rôles les plus importants pour l'utilisateur joués par les manuels d'utilisateur est d'aider à résoudre les problèmes concernant le Cypress Semiconductor CY7C1346H. Presque toujours, vous y trouverez Troubleshooting, soit les pannes et les défaillances les plus fréquentes de l'apparei Cypress Semiconductor CY7C1346H ainsi que les instructions sur la façon de les résoudre. Même si vous ne parvenez pas à résoudre le problème, le manuel d‘utilisation va vous montrer le chemin d'une nouvelle procédure – le contact avec le centre de service à la clientèle ou le service le plus proche.
