Manuel d'utilisation / d'entretien du produit CY7C1305BV25 du fabricant Cypress Semiconductor
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18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with Q DR™ Architecture CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05630 Rev .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 2 of 21 Selection Guide CY7C1305BV25-167 CY7C1307BV25-167 Unit Maximum Operating Freq uency 167 MHz Maximum Operating Current 400 mA 256Kx18 Array CLK A [17:0] Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 3 of 21 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1305BV25 (1M x 18 ) 1 2 3 4 5 678 9 1 0 1 1 A NC GND/ 144M NC/ 36M .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 4 of 21 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the ris ing edge of K and K clocks during valid write operations . CY7C1305BV25 – D [17:0] CY7C1307BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 5 of 21 Introduction Functional Overview The CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAMs equipp ed with both a Read port and a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write Port is dedicated to Write operations.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 6 of 21 When deselected, the wr ite po rt will ign ore all i npu ts after the pending Write operations have been completed . Byte Write Operations Byte Write operations are supported by th e CY7C1305BV25.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 7 of 21 T ruth T able [2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9] Operation K RPS WPS DQ DQ DQ DQ Write Cycle : Load address on the rising edge of K; wait one cycle; input write data on two consecutive K and K rising edges.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 8 of 21 Write Cycl e Descriptions (CY7C1307BV25) [2, 10 ] BWS 0 BWS 1 BWS 2 BWS 3 KK Comment s L L L L L-H – During the Data portion of a Write sequence, all four bytes (D [35:0] ) are written into the device.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 9 of 21 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149 .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 10 of 21 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 1 1 of 21 T AP Controller St ate Diagram [1 1] Note: 1 1. The 0/1 next to each state re presents the value at TMS at th e rising edge of TCK.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 12 of 21 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating R ange [12, 15, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 13 of 21 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP Timing and T est Conditions [1.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 14 of 21 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the Inpu t/Output ring contents.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 15 of 21 Boundary Scan Order Bit # Bum p ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 16 of 21 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T e mperature .............. .................. –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 17 of 21 Cap acit ance [22] Parameter Descript ion T es t Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms 1.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 18 of 21 Switching Characteristics Over the Operating Range [23] Cypress Parameter Consortium Parameter Description 167 MHz Unit Min. Max. t Power [24] V CC (typical) to the First Access Read or Write 10 µ s Cycle Time t CYC t KHKH K Clock and C Clock Cycle T ime 6.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 19 of 21 Switching W aveforms [27, 28, 29] Notes: 27. Q00 refers to output from add ress A0. Q01 refers to output from the ne xt internal burst address following A0, i.e., A0+1. 28. Outputs are disabled (High- Z) one clock cycle after a NOP .
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 20 of 21 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce.
CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 21 of 21 Document History Page Document Title: CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 18 -Mb it Burst of Four Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05630 REV . ECN NO. Issue Date Orig.
Un point important après l'achat de l'appareil (ou même avant l'achat) est de lire le manuel d'utilisation. Nous devons le faire pour quelques raisons simples:
Si vous n'avez pas encore acheté Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 c'est un bon moment pour vous familiariser avec les données de base sur le produit. Consulter d'abord les pages initiales du manuel d'utilisation, que vous trouverez ci-dessus. Vous devriez y trouver les données techniques les plus importants du Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - de cette manière, vous pouvez vérifier si l'équipement répond à vos besoins. Explorant les pages suivantes du manuel d'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1305BV25, vous apprendrez toutes les caractéristiques du produit et des informations sur son fonctionnement. Les informations sur le Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 va certainement vous aider à prendre une décision concernant l'achat.
Dans une situation où vous avez déjà le Cypress Semiconductor CY7C1305BV25, mais vous avez pas encore lu le manuel d'utilisation, vous devez le faire pour les raisons décrites ci-dessus,. Vous saurez alors si vous avez correctement utilisé les fonctions disponibles, et si vous avez commis des erreurs qui peuvent réduire la durée de vie du Cypress Semiconductor CY7C1305BV25.
Cependant, l'un des rôles les plus importants pour l'utilisateur joués par les manuels d'utilisateur est d'aider à résoudre les problèmes concernant le Cypress Semiconductor CY7C1305BV25. Presque toujours, vous y trouverez Troubleshooting, soit les pannes et les défaillances les plus fréquentes de l'apparei Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 ainsi que les instructions sur la façon de les résoudre. Même si vous ne parvenez pas à résoudre le problème, le manuel d‘utilisation va vous montrer le chemin d'une nouvelle procédure – le contact avec le centre de service à la clientèle ou le service le plus proche.
